一、dimm2是什么意思

dimm2这个词是用于存储方面的一个用语，我们可以来看看它的意思是什么?下面是我给大家整理的dimm2是什么意思，供大家参阅!

dimm2是什么意思

我用鲁大师检测内存 显示DIMM2 三星DDR3 1067 2G 这是什么意思啊 ??

是不是我的电脑可以插两根内存条 现在的内存条是插在2上 ??是不是这个意思啊

答案：

现在的内存条是插在2上 ?

说的不错，你的内存是插在第2条槽上，有第2当然有第1，当然还有可能有第3第4，不一定只有2个槽，还可能有4个。

上面的信息是 内存的厂商 类型 频率 容量。

SO-DIMM介绍

为了满足笔记本电脑对内存尺寸的要求，SO-DIMM(Small Outline DIMM Module)也开发了出来，它的尺寸比标准的DIMM要小很多，而且引脚数也不相同。同样SO-DIMM也根据SDRAM和DDR内存规格不同而不同，SDRAM的SO-DIMM只有144pin引脚，而DDR的SO-DIMM拥有200pin引脚。此外笔记本内存还有MicroDIMM和Mini Registered DIMM两种接口。MicroDIMM接口的DDR为172pin，DDR2为214pin;Mini Registered DIMM接口为244pin，主要用于DDR2内存。DDR3 SO-DIMM接口为204pin;DDR4 SO-DIMM接口为260pin。

FB-DIMM介绍

因为一般的内存主要是采用传统的64位并行设计，即北桥芯片的内存控制器与内存模块之间均通过64位的并行总线来数据交换，但此类并行总线设计有一个最大的缺点：就是相邻线路很容易受到干扰。这是因为一般的DIMM采用一种“短线连接”(Stub-bus)的拓扑结构。

在这种结构中，每个芯片与内存控制器的数据总线都有一个短小的线路相连，这样会造成电阻抗的不连续性，从而影响信号的稳定与完整，频率越高或芯片颗粒越多，影响也就越大。这也是一般基于此类并行体系的内存如DDR频率低下的原因。

Small Outline Dual Inline Memory Module(缩写SODIMM):小外形双列直插式内存模块。

DIMM简介

Dual-Inline-Memory-Modules,即双列直插式存储模块。这是在奔腾CPU推出后出现的新型内存条，DIMM提供了64位的数据通道，因此它在奔腾主板上可以单条使用。它有168条引脚，故称为168线内存条。它要比SIMM插槽要长一些，并且它也支持新型的168线EDO-DRAM存储器。适用DIMM的内存芯片的工作电压一般为3.3V(使用EDORAM内存芯片的168线内存条除外)，适用于SIMM的内存芯片的工作电压一般为5V(使用EDORAM或FBRAM内存芯片)，二者不能混合使用。

对比比较

DIMM与SIMM比较

DIMM(Dual Inline Memory Module，双列直插内存模块)与SIMM(single in-line memory module，单边接触内存模组)相当类似，不同的只是DIMM的金手指两端不像SIMM那样是互通的，它们各自独立传输信号，因此可以满足更多数据信号的传送需要。同样采用DIMM，SDRAM 的接口与DDR内存的接口也略有不同，SDRAM DIMM为168Pin DIMM结构，金手指每面为84Pin，金手指上有两个卡口，用来避免插入插槽时，错误将内存反向插入而导致烧毁;DDR DIMM则采用184Pin DIMM结构，金手指每面有92Pin，金手指上只有一个卡口。卡口数量的不同，是二者最为明显的区别。DDR2 DIMM为240pin DIMM结构，金手指每面有120Pin，与DDR DIMM一样金手指上也只有一个卡口，但是卡口的位置与DDR DIMM稍微有一些不同，因此DDR内存是插不进DDR2 DIMM的，同理DDR2内存也是插不进DDR DIMM的，因此在一些同时具有DDR DIMM和DDR2 DIMM的主板上，不会出现将内存插错插槽的问题。

服务器使用的DIMM

主要有三种：带寄存器的、不带寄存器的与低负载。这些类别定义了由内存模块施加的电力负载。

Registered DIMM(RDIMM)是最常见的内存模块类型。RDIMM使用寄存器，从电力上将内存模块从剩余主板中隔离出来。积极的一方面是，只需更少的电力负载支持，系统能够填充更多RDIMM，支撑内存容量。不好的是缓冲组件增加了对内存转换的延迟，稍微降低了性能并增加了能耗需求。

Unregistered DIMM(UDIMM)是与RIMM一样的内存设备，无需缓冲。该内存模块只有少许延迟与能源消耗，但为主板呈现的是更大的电力负载。UDIMM限制了每个通道能够使用的多少DIMM。拥有UDIMM内存的服务器无法支持与使用RIMM一样的内存容量。UDIMM通常为那些需要适度内存数量与中等延迟的服务器而准备的。

低负载DIMM(LRDIMM)不使用比较复杂的寄存器，而是使用简单缓冲。缓冲降低了在下层主板上的电力负载，但对能源与内存性能几乎无影响。不似RDIMM与LRDIMM让服务器制造商在每个内存通道上放更多模块。因此，LRDIMM设计能包含大型卷系统内存，而不产生高的延迟费用。

两个RDIMMS无法成为一个LRDIMM：服务器无法在一个通道中混合模块类型，例如，两个RDIMM与一个LRDIMM。通常，服务器也无法在通道之间混合不同DIMM。选择一个DIMM类型，能交付最佳容量与性能即可。

一般来说，使用服务器能够支持的最大的DIMM。这通常可以为系统潜在整合(或故障恢复)提供最佳价值与更多的内存。管理员能节省成本，并能使用更小模块填充DIMM插槽，但这样可能无法为未来升级预留足够内存，还可能使得高级可用性功能，如内存保留与镜像更加麻烦。

对于虚拟与整合服务器来说，安装更多内存貌似是最简单的答案，但更多的内存失败的风险更大，还会破坏服务器的工作负载。

二、DIMM1DIMM2什么。

DIMM是内存插槽~DIMM1指1号插槽.DIMM2....

简单的说就是技术更新了,快些了

复杂的说就是:(如果你有耐心看完的话...)

DDR2与DDR的区别

与DDR相比，DDR2最主要的改进是在内存模块速度相同的情况下，可以提供相当于DDR内存两倍的带宽。这主要是通过在每个设备上高效率使用两个DRAM核心来实现的。作为对比，在每个设备上DDR内存只能够使用一个DRAM核心。技术上讲，DDR2内存上仍然只有一个DRAM核心，但是它可以并行存取，在每次存取中处理4个数据而不是两个数据。

DDR2与DDR的区别示意图

与双倍速运行的数据缓冲相结合，DDR2内存实现了在每个时钟周期处理多达4bit的数据，比传统DDR内存可以处理的2bit数据高了一倍。DDR2内存另一个改进之处在于，它采用FBGA封装方式替代了传统的TSOP方式。

然而，尽管DDR2内存采用的DRAM核心速度和DDR的一样，但是我们仍然要使用新主板才能搭配DDR2内存，因为DDR2的物理规格和DDR是不兼容的。首先是接口不一样，DDR2的针脚数量为240针，而DDR内存为184针；其次，DDR2内存的VDIMM电压为1.8V，也和DDR内存的2.5V不同。

DDR2的定义：

DDR2（Double Data Rate 2） SDRAM是由JEDEC（电子设备工程联合委员会）进行开发的新生代内存技术标准，它与上一代DDR内存技术标准最大的不同就是，虽然同是采用了在时钟的上升/下降延同时进行数据传输的基本方式，但DDR2内存却拥有两倍于上一代DDR内存预读取能力（即：4bit数据读预取）。换句话说，DDR2内存每个时钟能够以4倍外部总线的速度读/写数据，并且能够以内部控制总线4倍的速度运行。

此外，由于DDR2标准规定所有DDR2内存均采用FBGA封装形式，而不同于目前广泛应用的TSOP/TSOP-II封装形式，FBGA封装可以提供了更为良好的电气性能与散热性，为DDR2内存的稳定工作与未来频率的发展提供了坚实的基础。回想起DDR的发展历程，从第一代应用到个人电脑的DDR200经过DDR266、DDR333到今天的双通道DDR400技术，第一代DDR的发展也走到了技术的极限，已经很难通过常规办法提高内存的工作速度；随着Intel最新处理器技术的发展，前端总线对内存带宽的要求是越来越高，拥有更高更稳定运行频率的DDR2内存将是大势所趋。

DDR2与DDR的区别：

在了解DDR2内存诸多新技术前，先让我们看一组DDR和DDR2技术对比的数据。

1、延迟问题：

从上表可以看出，在同等核心频率下，DDR2的实际工作频率是DDR的两倍。这得益于DDR2内存拥有两倍于标准DDR内存的4BIT预读取能力。换句话说，虽然DDR2和DDR一样，都采用了在时钟的上升延和下降延同时进行数据传输的基本方式，但DDR2拥有两倍于DDR的预读取系统命令数据的能力。也就是说，在同样100MHz的工作频率下，DDR的实际频率为200MHz，而DDR2则可以达到400MHz。

这样也就出现了另一个问题：在同等工作频率的DDR和DDR2内存中，后者的内存延时要慢于前者。举例来说，DDR 200和DDR2-400具有相同的延迟，而后者具有高一倍的带宽。实际上，DDR2-400和DDR 400具有相同的带宽，它们都是3.2GB/s，但是DDR400的核心工作频率是200MHz，而DDR2-400的核心工作频率是100MHz，也就是说DDR2-400的延迟要高于DDR400。

2、封装和发热量：

DDR2内存技术最大的突破点其实不在于用户们所认为的两倍于DDR的传输能力，而是在采用更低发热量、更低功耗的情况下，DDR2可以获得更快的频率提升，突破标准DDR的400MHZ限制。

DDR内存通常采用TSOP芯片封装形式，这种封装形式可以很好的工作在200MHz上，当频率更高时，它过长的管脚就会产生很高的阻抗和寄生电容，这会影响它的稳定性和频率提升的难度。这也就是DDR的核心频率很难突破275MHZ的原因。而DDR2内存均采用FBGA封装形式。不同于目前广泛应用的TSOP封装形式，FBGA封装提供了更好的电气性能与散热性，为DDR2内存的稳定工作与未来频率的发展提供了良好的保障。

DDR2内存采用1.8V电压，相对于DDR标准的2.5V，降低了不少，从而提供了明显的更小的功耗与更小的发热量，这一点的变化是意义重大的。

DDR2采用的新技术：

除了以上所说的区别外，DDR2还引入了三项新的技术，它们是OCD、ODT和Post CAS。

OCD（Off-Chip Driver）：也就是所谓的离线驱动调整，DDR II通过OCD可以提高信号的完整性。DDR II通过调整上拉（pull-up）/下拉（pull-down）的电阻值使两者电压相等。使用OCD通过减少DQ-DQS的倾斜来提高信号的完整性；通过控制电压来提高信号品质。

ODT：ODT是内建核心的终结电阻器。我们知道使用DDR SDRAM的主板上面为了防止数据线终端反射信号需要大量的终结电阻。它大大增加了主板的制造成本。实际上，不同的内存模组对终结电路的要求是不一样的，终结电阻的大小决定了数据线的信号比和反射率，终结电阻小则数据线信号反射低但是信噪比也较低；终结电阻高，则数据线的信噪比高，但是信号反射也会增加。因此主板上的终结电阻并不能非常好的匹配内存模组，还会在一定程度上影响信号品质。DDR2可以根据自已的特点内建合适的终结电阻，这样可以保证最佳的信号波形。使用DDR2不但可以降低主板成本，还得到了最佳的信号品质，这是DDR不能比拟的。

Post CAS：它是为了提高DDR II内存的利用效率而设定的。在Post CAS操作中，CAS信号（读写/命令）能够被插到RAS信号后面的一个时钟周期，CAS命令可以在附加延迟（Additive Latency）后面保持有效。原来的tRCD（RAS到CAS和延迟）被AL（Additive Latency）所取代，AL可以在0，1，2，3，4中进行设置。由于CAS信号放在了RAS信号后面一个时钟周期，因此ACT和CAS信号永远也不会产生碰撞冲突。

三、DIMM0和DIMM2这个怎么解释？

DIMM0是第一内存插槽

DIMM2是第三内存插槽

每个插槽上插了一根为DDR2

667的1G内存，总共2G组建双通道模式。

补充解答：

DIMM0是第一内存插槽

DIMM1是第二内存插槽

DIMM2是第三内存插槽

DIMM3是第四内存插槽

组建双通道是将DIMM0和DIMM2或者DIMM1和DIMM3插上一组相同容量、型号的内存在理论上提供比一根内存高一倍带宽的技术。

四、DIMM什么意思？(内存插槽数量 2 DDR2 DIMM)

DIMM全称Dual-Inline-Memory-Modules，中文名叫双列直插式存储模块，是指奔腾CPU推出后出现的新型内存条，它提供了64位的数据通道。

DDR2是插口类型，买内存的时候需要注意主板支持的内存插口。

扩展资料

这是在奔腾CPU推出后出现的新型内存条，DIMM提供了64位的数据通道，因此它在奔腾主板上可以单条使用。它有168条引脚，故称为168线内存条。它要比SIMM插槽要长一些，并且它也支持新型的168线EDO-DRAM存储器。

适用DIMM的内存芯片的工作电压一般为3.3V（使用EDORAM内存芯片的168线内存条除外），适用于SIMM的内存芯片的工作电压一般为5V（使用EDORAM或FBRAM内存芯片），二者不能混合使用。

大多数DIMM使用“×4”（“by four”）或“×8”（“by eight”）内存芯片构建，每侧有9个芯片; “×4”和“×8”指的是DRAM芯片的数据宽度，以位为单位。

在“×4”寄存DIMM的情况下，每边的数据宽度是36位; 因此，存储器控制器（需要72位）需要同时寻址两侧以读取或写入所需的数据。 在这种情况下，双面模块是单排的。 对于“×8”寄存的DIMM，每侧为72位宽，因此存储器控制器一次仅对一侧进行寻址（双面模块为双列）。

参考资料来源：百度百科—DIMM